اثر تهی جای ها در خواص مغناطیسی نانونوارهای گرافینی آرمچیر

گرافین کامل و دست نخورده و نیز نانونوارهای آرمچیر پایان یافته با هیدروژن در غیاب نقص های شبکه، موادی غیرمغناطیسی هستند. حضور تهی جای ها، خواص مغناطیسی را به شدت تحت تاثیر قرار داده و ممکن است قطبیدگی اسپینی قابل توجهی را در این مواد به وجود آورند. در این مقاله، با استفاده از روش محاسبات اصول اولیه مبتنی بر نظریه تابعی چگالی کوهن-شم، اثر حضور تهی جای ها در خواص مغناطیسی و قطبیدگی اسپینی نانونوارهای گرافینی آرمچیر یک لایه و دولایه بررسی شده است. نتایج نشان می دهند که مقادیر گشتاورهای مغناطیسی به تعداد و آرایش تهی جای ها، فاصله آن ها از یکدیگر و از لبه های نانونوار بستگی دارد.