طراحی سلول 9SRAM ترانزیستوری پایدار کم توان با بهبود سرعت خواندن و نوشتن
نویسنده:
نوع مقاله:
مقاله پژوهشی/اصیل (دارای رتبه معتبر)
چکیده:
امروزه با پیشرفت روز افزون تکنولوژی، نیاز به مدارات و حافظه های پرسرعت با حفظ پایداری و مصرف توان کم افزایش یافته است. در این مقاله، یک سلول SRAM نه ترانزیستوری پایدار و بهبود یافته برای کاربردهای پر سرعت با مصرف کم توان نشتی پیشنهاد شده است. در این طرح، از دو تکنیک تفکیک مسیر خواندن و نوشتن و تکنیک " stack effect" به طور همزمان به منظور بهبود عملکرد خواندن و نوشتن استفاده شده است. نتایج شبیه سازی در تکنولوژی CMOS 32 نانومتری نشان می دهد که سلول پیشنهادی در ردیف سلول های بسیار سریع قرار می گیرد. این در حالی است که توان نشتی سلول پیشنهادی نسبت به سلول های سریع 16 تا 41 درصد کاهش یافته است. لازم به ذکر است که پایداری سلول پیشنهادی در مد خواندن نسبت به سلول 6 ترانزیستوری پایه تقریبا دو برابر شده است.
کلیدواژگان:
پایداری ، حاشیه نویز ، سرعت خواندن ، سرعت نوشتن ، SRAM
زبان:
فارسی
در صفحه:
121
لینک کوتاه:
magiran.com/p1789530
دانلود و مطالعه متن این مقاله با یکی از روشهای زیر امکان پذیر است:
اشتراک شخصی
با عضویت و پرداخت آنلاین حق اشتراک یکساله به مبلغ 1,390,000ريال میتوانید 70 عنوان مطلب دانلود کنید!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی نامحدود همه کاربران به متن مطالب تهیه نمایند!
توجه!
- حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران میشود.
- پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانههای چاپی و دیجیتال را به کاربر نمیدهد.
In order to view content subscription is required
Personal subscription
Subscribe magiran.com for 70 € euros via PayPal and download 70 articles during a year.
Organization subscription
Please contact us to subscribe your university or library for unlimited access!