مقایسه توانمندی ها و محدودیت های ترانزیستور تک الکترونی و ترانزیستور اثر میدانی مبتنی بر نانولوله کربنی به منظور بکارگیری در مبدلهای توان در ابعاد نانو
نویسنده:
نوع مقاله:
مقاله پژوهشی/اصیل (ترویجی)
چکیده:
ترانزیستور تک الکترونی SET و ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله های کربنی CNTFET گزینه های مناسبی برای جایگزینی تکنولوژی CMOS در نانومبدلهای پردازش توان می باشند. قابلیت کوچک سازی در ابعاد نانو، فرکانس کلیدزنی بالا و همچنین تلفات هدایتی و کلیدزنی پایین برخی از ویژگی های بارز آنها در این کاربرد است. این دو گزینه برای بکارگیری بعنوان کلید دارای نقاط قوت و ضعفی نسبت به هم هستند که در این تحقیق مورد بحث قرار می گیرند. مقایسه بر مبنای شاخص های مهم یک کلید فرکانس بالا همانند سرعت کلیدزنی، تلفات هدایتی و کلیدزنی، کنترل پذیری، قابلیت اعتماد در شرایط کاری مختلف و پارامترهای مختلف الکتریکی صورت گرفته و با مرجعیت کلیدهای مبتنی بر سیلیکون می باشد.
کلیدواژگان:
زبان:
فارسی
انتشار در:
صفحات:
1 تا 4
لینک کوتاه:
magiran.com/p1793114
دانلود و مطالعه متن این مقاله با یکی از روشهای زیر امکان پذیر است:
اشتراک شخصی
با عضویت و پرداخت آنلاین حق اشتراک یکساله به مبلغ 1,390,000ريال میتوانید 70 عنوان مطلب دانلود کنید!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی نامحدود همه کاربران به متن مطالب تهیه نمایند!
توجه!
- حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران میشود.
- پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانههای چاپی و دیجیتال را به کاربر نمیدهد.
In order to view content subscription is required
Personal subscription
Subscribe magiran.com for 70 € euros via PayPal and download 70 articles during a year.
Organization subscription
Please contact us to subscribe your university or library for unlimited access!