بررسی تاثیر نانوساختارها در بهبود جریان فتوالکتروشیمیایی ساختارناهمگون بر پایه Cu2O

در این تحقیق سطح لایه ی Cu2O با بکارگیری نانوساختارهای این اکسید اصلاح شده است؛ بطوریکه پوشش توده ای Cu2O به روش اکسیداسیون حرارتی فویل مس خالص و نانومیله های اکسید مس با استفاده از روش اکسیداسیون آندی از سطح فلز مس صیقل یافته در محیط قلیایی ساخته می شوند. این ساختارهای که داری طول 150 نانومتری هستند برای دستیابی به فاز خالص Cu2O نیازمند فرآیند حرارت دهی هستند. بهترین شرایط بدست آمده، حرارت دهی در مدت زمان 15 دقیقه و در دمای oC700 تحت شارش گاز آرگون است. پس از حرارت دهی آنالیز XRD هیچ گونه پیک دیگری از اکسید های مس را نشان نمی دهد. ساختار ناهمگون پوشش/ نانوساختار Cu2O با استفاده از لایه نشانی چرخشی و سپس حرات دهی در شرایط بهینه شده حاصل می شود. منحنی چگالی جریان-ولتاژ در آنالیز فتوالکتروشیمایی، افزایش چشمگیر 76 در میزان جریان در ولتاژ V 6/0-برحسب مرجع الکترود نقره/کلرید نقره را نشان می دهد. برای بررسی دقیق تر آنالیزهای اسپکتروسکوپی الکتروشیمیایی و مت-شاتکی از پوشش و ساختار ناهمگون Cu2O انجام شده است.