بهبود ساختار تقویت کننده رامان کریستال فوتونی هایبرید به کمک مواد اپتوفلوییدی

نویسنده:

امیره سیدفرجی ، وحید احمدی *

نوع مقاله:
مقاله پژوهشی/اصیل (دارای رتبه معتبر)
چکیده:
در این مقاله، با استفاده از موجبر کریستال فوتونی هایبرید، ساختاری برای تقویت کننده رامان پیشنهاد می شود که در آن به کمک ایجاد نانو حفره های پر شده با مواد اپتوفلوییدی در مسیر پمپ و سیگنال، سرعت گروه پمپ و سیگنال کاهش یافته و در نتیجه بهره و عرض باند تقویت رامان افزایش می یابد. در این ساختار، پارامترهای هندسی برای دست یابی به بهره و عرض باند تقویت بزرگتر، بهبود می یابند. معادلات ماکسول به روش FDTD و با درنظر گرفتن اثرات غیرخطی جذب دو فوتونی، جذب حامل آزاد، اثر کر و مدلاسیون فاز خودی در موجبر کریستال فوتونی هایبرید حل می شوند. سپس با تزریق هم زمان 3 پمپ با طول موج و توان مناسب به ساختار تقویت کننده رامان با طول um 350، بهره رامان 10.06 db و عرض باند تقویت nm 5.75 حاصل می شود.
کلیدواژگان:

کریستال فوتونی هایبرید ، مواد اپتوفلوییدی ، تقویت کننده رامان ، معادلات ماکسول

زبان:
فارسی
انتشار در:
نشریه الکترومغناطیس کاربردی، سال چهارم شماره 3 (پیاپی 12، پاییز 1395)
صفحات:
57 تا 64
لینک کوتاه:
magiran.com/p1861376 
دانلود و مطالعه متن این مقاله با یکی از روشهای زیر امکان پذیر است:
اشتراک شخصی
با عضویت و پرداخت آنلاین حق اشتراک یک‌ساله به مبلغ 1,390,000ريال می‌توانید 70 عنوان مطلب دانلود کنید!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی نامحدود همه کاربران به متن مطالب تهیه نمایند!
اطلاعات بیشتر
توجه!
  • حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران می‌شود.
  • پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانه‌های چاپی و دیجیتال را به کاربر نمی‌دهد.
In order to view content subscription is required

Personal subscription
Subscribe magiran.com for 70 € euros via PayPal and download 70 articles during a year.
Organization subscription
Please contact us to subscribe your university or library for unlimited access!
More information