طراحی و ساخت آرایه آنتن میکرواستریپ با پهنای باند بالا به روش آرایه متناوب لگاریتمی با تغذیه Inset و Proximity

در این مقاله برای افزایش پهنای باند آنتن های میکرواستریپی، از آرایه های متناوب لگاریتمی استفاده شده است و برای تغذیه آرایه ها نیز روش های تغذیه ی Inset و Proximity انتخاب شدند. شبیه سازی ها و نتایج آزمایشگاهی نشان دادند که با استفاده از تغذیه Inset پهنای باند افزایش یافته و تطبیق امپدانسی بهتر از ترمینال ورودی حاصل می شود. بعلاوه با استفاده از تغذیه Proximity به دلیل حذف اتصالات T شکل و لحیم کاری ها، تشعشعات ناخواسته از بین رفته و در نتیجه بهره و پهنای باند بیشتر و ابعاد کوچکتری نسبت به آنتن با تغذیه Inset به دست می آید. در این مقاله از یک ماده دی الکتریک از جنس FR4 با ضخامت mm6/1 و ثابت دی الکتریک 4/4ε_r= استفاده شده است و فرکانس تشدید و امپدانس مشخصه خط تغذیه به ترتیب GHz 03/3 و Ω50 در نظر گرفته شده اند. با استفاده از آرایه متناوب لگاریتمی، پهنای باند امپدانسی و بهره ی آنتن میکرواستریپ به ترتیب از %7/2 و حدودdB 2 برای تک المان، به %4/27 وdB 8 برای 5 المان افزایش می یابد.