مقاومت مغناطیسی تنظیم پذیر در پیوندگاه گرافین گاف دار تحت کشش در حضور سد مغناطیسی

در تحقیق حاضر با اعمال هم زمان کشش و سد مغناطیسی به گرافین گاف دار که بین دو الکترود فرومغناطیسی قرار گرفته است ضریب عبور و رسانش پیوندگاه بررسی شده و شرایط رسیدن به بیشینه مقاومت مغناطیسی مهیا شده است. نتایج نشان می دهند اعمال کشش به تنهایی منجر به ایجاد گاف دره ای در ساختار گرافین نمی شود و این گاف با اعمال سد مغناطیسی در حضور کشش در ساختار گرافین قابل ایجاد و با تغییر مقدار گاف جرمی زیر لایه قابل کنترل و تنظیم است. همچنین نشان داده شده است که مقاومت مغناطیسی پیوندگاه به شدت به پارامترهای کشش اعمالی به گرافین، سد مغناطیسی، پیکربندی بردار مغناطش نواحی فرومغناطیس و گاف جرمی زیر لایه وابسته است به گونه-ای که با انتخاب مقادیر مناسبی برای پارامترهای مذکور، مقاومت مغناطیسی پیوندگاه به 100% می رسد. به طور مشخص برای دره K با تغییر پیکربندی از موازی به پادموازی با اعمال مقادیر مذکور، نمودار رسانش پادموازی سریع تر نسبت به نمودار رسانش موازی به صفر می رسد. در این شرایط پیوندگاه فقط برای پیکربندی رسانش موازی از خود عبور نشان می دهد که این امر منجر به بیشینه شدن مقاومت مغناطیسی پیوندگاه می شود. تنظیم پذیر بودن مقاومت مغناطیسی پیوندگاه نشان دهنده کاربرد آن در وسایل اسپین-الکترونیکی بر پایه گرافین است.