دیپلکسر با رزوناتورهای حلقوی مکمل شکاف دار به شکلS خم شده در کاربردهای LTE

در این مقاله ساختار جدیدی از یک دیپلکسر با استفاده از تکنولوژی موجبرمجتمع شده (SIW) و رزوناتور حلقوی مکمل شکاف دار برای کاربردهای  LTE در فرکانس های 1.3 گیگاهرتز و2.1 گیگاهرتز طراحی شده است. این دیپلکسر فشرده شده, توسط رزوناتور حلقوی S شکل در یک ساختار موجبری ارائه شده است. در این طرح ابتدا فیلترهای متناظر با هریک از باندها در شبیه ساز طراحی و سپس با استفاده از پارامترهای پراکندگی هر یک از فیلترها ساختار T شکل در ورودی دیپلکسر بهینه سازی شد. با توجه به نتایج اندازه گیری دیپلکسر ساخته شده دهانه های ورودی و خروجی تطبیق امپدانسی مناسبی در باندهای مورد نظر دارند و تلفات انتقالی در فرکانس های1.3 گیگاهرتز و2.1  گیگاهرتز به ترتیب حدود  1 دسی بل و 2 دسی بل است. مقدار ایزولاسیون بین دهانه های خروجی بیش از30 دسی بل است. نهایتا ساختار پیشنهادی کارایی بسیار مطلوبی را منعکس می کند. این ساختار مزیت هایی را مانند ابعاد کوچک ، تلفات پایین ، ایزولاسیون بالا ، ساخت آسان و قابلیت مجتمع سازی شدن با دیگر مدارات مسطح را دارد.