Design and Analysis of New Level Shifter With Gate Driver for Li-Ion Battery Charger in 180nm CMOS Technology
Message:
Abstract:

In this work, the design and analysis of new Level Shifter with Gate Driver for Li-Ion battery charger is proposed for high speed and low area in 180nm CMOS technology. The new proposed level shifter is used to raise the voltage level and significantly reduces transfer delay 1.3ns (transfer delay of conventional level shifter) to 0.15ns with the same input signal. Also, the level shifter with gate driver achieves a propagation delay of less than 0.25ns and the total area is only 0.05mm2. The proposed level shifter with gate driver was designed, simulated and layouted in Cadence using TSMC 180nm CMOS technology.

Article Type:
Research/Original Article
Language:
English
Published:
Iranian Journal of Electrical and Electronic Engineering, Volume:15 Issue:4, 2019
Pages:
477 - 484
magiran.com/p2051777  
روش‌های دسترسی به متن این مطلب
اشتراک شخصی
در سایت عضو شوید و هزینه اشتراک یک‌ساله سایت به مبلغ 300,000ريال را پرداخت کنید. همزمان با برقراری دوره اشتراک بسته دانلود 100 مطلب نیز برای شما فعال خواهد شد!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی همه کاربران به متن مطالب خریداری نمایند!