رشد نانوپوسه های MoS2 ایستاده بر سطح به روش رسوب دهی بخار شیمیایی

خواص الکترونیکی جالب و ویژگی های کاتالیستی چندلایه های دوبعدی MoS2امروزه توجه محققان را به خود جلب کرده است. در این مقاله سنتز نانوپوسه های MoS2 ایستاده روی زیرلایه SiO2/Si در فرآیند سولفید شدن سریع به روش رسوب بخار شیمیایی، گزارش شده است. مشخصه یابی مواد با استفاده از طیف سنجی رامان، XRD و FE-SEM انجام گردید. نتایج XRD نشان دهنده فاز غالب 2H-MoS2 و فاصله دو پیک برجسته ی E12g و A1g در پراکندگی رامان، ضخامت 6 تا 10 لایه اتمی برای پوسه ها را تصدیق می کند. با توجه به داده های تجربی، مکانیزم رشد را بر اساس دانه بندی و رشد دوبعدی و در مرحله بعدی بهم پیوستن جزایر دوبعدی و در مرحله نهایی رشد پوسه ای ایستاده بهم متصل معرفی کرده ایم. این ساختارهای ایستاده که سایت های فعال زیادی در لبه ها دارند کاربردهای بالقوه و امیدوار کننده ی بسیاری در ترانزیستورهای ظریف، حسگرهای گاز و واکنش های کاتالیستی خواهند داشت.