افزایش بازده سلول خورشیدی GaAs مبتنی بر ساختار p-i-n باند میانی توسط نقاط کوانتومی InAs در ناحیه ذاتی آن

امروزه سلول خورشیدی باند میانی نقطه کوانتومی به عنوان یکی از مناسب ترین گزینه ها برای دست یابی به حداکثر بازده در سلول های خورشیدی می باشد. در این مقاله دو مدل سلول خورشیدی طراحی شده که مدل اول دارای ساختار p-i-n با بستر GaAs بوده و مدل دوم شامل نقاط کوانتومی InAs کاشته شده در ناحیه ذاتی آن می باشند. با بهبود ساختار و استفاده از مواد مناسب در سلول مرجع p-i-n بازده تا حد 34.03% افزایش یافته است. سپس، در ساختار سلول خورشیدی مبتنی بر نقاط کوانتومی، ازطریق کنترل اندازه نقاط کوانتومی و موقعیت قرارگیری آن ها در این سلول خورشیدی GaAs باند میانی نقطه کوانتومی، بهبود بازده تبدیل انرژی به مقدار 12.55% به دست آمده و بازده تبدیل انرژی تا مقدار 55.58% ارتقاء یافت. در حقیقت، با این سلول خورشیدی باند میانی مبتنی بر نقاط کوانتومی بازده تبدیل انرژی بالایی ارائه می شود که تاکنون گزارش نشده است.