افزایش بازده سلول خورشیدی GaAs مبتنی بر ساختار p-i-n باند میانی توسط نقاط کوانتومی InAs در ناحیه ذاتی آن

پیام:
چکیده:

امروزه سلول خورشیدی باند میانی نقطه کوانتومی به‌عنوان یکی از مناسب‌ترین گزینه‌ها برای دست‌یابی به حداکثر بازده در سلول‌های خورشیدی می‌باشد. در این مقاله دو مدل سلول خورشیدی طراحی‌شده که مدل اول دارای ساختار p-i-n با بستر GaAs بوده و مدل دوم شامل نقاط کوانتومی InAs کاشته شده در ناحیه ذاتی آن می‌باشند. با بهبود ساختار و استفاده از مواد مناسب در سلول مرجع p-i-n بازده تا حد 34.03% افزایش یافته است. سپس، در ساختار سلول خورشیدی مبتنی‌بر نقاط کوانتومی، ازطریق کنترل اندازه نقاط کوانتومی و موقعیت قرارگیری آن‌ها در این سلول خورشیدی GaAs باند میانی نقطه کوانتومی، بهبود بازده تبدیل انرژی به‌مقدار 12.55% به‌دست آمده و بازده تبدیل انرژی تا مقدار 55.58% ارتقاء یافت. در حقیقت، با این سلول خورشیدی باند میانی مبتنی‌بر نقاط کوانتومی بازده تبدیل انرژی بالایی ارائه می‌شود که تاکنون گزارش نشده است.

نوع مقاله:
مقاله پژوهشی/اصیل
زبان:
فارسی
صفحات:
1167 -1174
لینک کوتاه:
magiran.com/p2071602 
روش‌های دسترسی به متن این مطلب
اشتراک شخصی
در سایت عضو شوید و هزینه اشتراک یک‌ساله سایت به مبلغ 300,000ريال را پرداخت کنید. همزمان با برقراری دوره اشتراک بسته دانلود 100 مطلب نیز برای شما فعال خواهد شد!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی همه کاربران به متن مطالب خریداری نمایند!