تهیه و مطالعه پوشش نانو ساختار سولفید روی با استفاده GLAD از روش رشد زاویه ای خراشان
در این پژوهش، تاثیر لایه های سولفید روی به صورت زیگزاگ بر ضریب شکست، ضریب خاموشی و درصد عبور و مقایسه آن با لایه نشانی صفر درجه همین ماده پرداخته شده است. لایه های نازک سولفید روی توسط روش لایه نشانی تبخیر فیزیکی بر روی زیر لایه شیشه لایه نشانی شده اند. با بررسی خواص اپتیکی این نمونه ها مشاهده شده است که با این روش لایه نشانیزیگزاگ، عبور اپتیکی، ضریب جذب و ضریب خاموشی نسبت به حالت صفردرجه افزایش و ضریب شکست آن کاهش پیدا کرد. این نتیجه تاثیر روش GLAD در خواص اپتیکی لایه های نازک را نشان می دهد.
- حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران میشود.
- پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانههای چاپی و دیجیتال را به کاربر نمیدهد.