حافظه نوری فلش مبتنی بر نور کند در بلورهای فوتونی

در این مقاله، طراحی و شبیه سازی نوع جدیدی از حافظه های نوری مبتنی بر نور کند در ساختار بلور فوتونی نوع میله با شبکه شش ضلعی برای اولین بار ارایه می شود که کنترل فرآیند نوشتن، نگه داری و خواندن اطلاعات به صورت مستقل و با تغییر ضریب شکست صورت می گیرد. حافظه نوری معرفی شده از نوع فلش است که بر پایه ی مفهوم نور کند در بلورهای فوتونی به دست آمده و قابلیت کارکرد به صورت موازی و بر اساس روش مالتی پلکسینگ طول موج را دارد. حافظه برای عملکرد در طول موج کاری 1550 نانومتر با پهنای باند 1 نانومتر طراحی شده، هرچند عملکرد ساختار با استفاده از اصل مقیاس پذیری در بلورهای فوتونی به محدوده وسیعی از طول موج های باند مخابرات نوری قابل گسترش است. فاکتور کیفیت در محل سلول حافظه برای ساختار پیشنهادی برابر با 105´3.4 است که با افزایش سایز حافظه قابل ارتقاء است. طول عمر فوتون با لحاظ کردن فاکتور کیفیت 105´3.4  برابر با 0.6 نانوثانیه است. ویژگی های قابل توجه ساختار پیشنهادی برای حافظه نوری، امکان کنترل مستقل فرایند نوشتن و خواندن اطلاعات، اندازه کوچک، سرعت بالای فرایند خواندن و نوشتن، مدت زمان طولانی برای نگه داری حافظه و ایجاد تطبیق ضریب شکست گروه تقریبا برابر برای درگاه های ورودی/ خروجی و سلول حافظه است که باعث افزایش بازده الحاق می شود.