بررسی اثر روش های لایه نشانی لایه جاذب بر عملکرد سلول های خورشیدی پروسکایتی با هالوژن ترکیبی بدون ماده انتقال دهنده حفره

: یکی از راه های بهبود بازده و پایداری سلول های خورشیدی پروسکایتی، مهندسی سطح ها و کنترل ریخت شناسی لایه پروسکایت است که به شدت روی عملکرد فتوولتاییک سلول تاثیر می گذارد. یکی از این راه ها استفاده از روش سنتز و لایه نشانی مناسب برای دست یابی به لایه با کیفیت است. در این کار، چهار روش بهینه شده (S1: روش دو مرحله ای بر پایه محلول، S2: روش تک مرحله ای با ضد حلال، S3: روش تک مرحله ای بدون ضد حلال، و S4: روش تلفیقی محلول به کمک تبخیری) برای سنتز پروسکایت ترکیبی CH3NH3PbI3-XClX به کار برده شده است. از بررسی عملکرد سلول های ساخته شده، دینامیک انتقال بار و ریخت شناسی سطح پروسکایت می توان نتیجه گرفت که روش S4 موجب سنتز لایه پروسکایت فشرده و بدون نقص با پوشش سطح عالی است و بهترین عملکرد را در مقایسه با سایر روش ها نشان می دهد (با چگالی جریان mA/cm2 70/13 ، ولتاژ مدار بازVolt  1، فاکتور پرشدگی 63/0 و بازده 82/8 %). اما از نظر تجاری سازی و اقتصادی روش S3 به مواد و انرژی کمتری نیاز دارد و مقرون به صرفه تر است.