طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده ترارسانای عملیاتی راه اندازی شده از طریق بدنه مبتنی بر فناوری ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی

در این مقاله، یک مدار تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی جدید دو طبقه پیشنهاد می شود که نیاز های بهره بالا، توان مصرفی پایین و نویز کم را برآورده می کند و بر اساس روشgm/ID  و راه اندازی از طریق بدنه طراحی شده است. قابل ذکر است که طراحی های صورت گرفته مداری با توجه به محدودیت های فناوری CMOS، در فناوری CNTFET انجام شده است. همچنین به منظور بهبود خطینگی مدار، ترانزیستورهای تریودی در هر دوطبقه به کار برده شده است. شبیه سازی های مدار تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی پیشنهادی در نرم افزار HSPICE و با ولتاژ تغذیه یک ولت و خازن های بار یک پیکوفاراد انجام پذیرفته است. بر اساس نتایج به دست آمده، مدار پیشنهادی کمتر از 27 میکرووات توان مصرف می کند و بهره بالای 98 دسی بل را ارایه می دهد. مقدار CMRR و PSRR مدار پیشنهاد شده به ترتیب برابر با 121 دسی بل و 152 دسی بل است. نویز ارجاع شده به ورودی مدار برابر با  92/0 نانو ولت بر رادیکال هرتز بوده و سرعت چرخش مدار برابر با 111 ولت بر میکروثانیه است که نشان از بهتربودن مقدار ضریب شایستگی مدار پیشنهادی در مقایسه با کارهای قبلی است.