اثر تله های موجود در شکاف باند انرژی بر روی جریان درین در ترانزیستورهای اثر میدان تونلی

در این مقاله، مطالعه ای دقیق از مکانیزم تونل زنی به کمک تله ها در ترانزیستورهای اثر میدان تونلی ارایه شده است. این پدیده باعث تولید جریان نشتی بزرگی قبل از شروع فرایند تونل زنی باند به باند می شود و نقش کلیدی در تعیین جریان حالت خاموش این ترانزیستورها دارد. با اصلاح فرمول SRH نشان داده شده است که در دمای اتاق برای ولتاژهای کم تر از ولتاژ آستانه جریان تونل زنی از طریق تله ها همواره غالب بوده و باعث تنزل مشخصه ی کلید زنی ترانزیستور، که توسط شیب زیر آستانه سنجیده می شود، می گردد. این نتایج برای ساختارهای دو گیتی و GAA که در آن ها تله ها بین ناحیه تونل زنی سورس-کانال قرار می گیرند نیز قابل تعمیم است. فرایند تونل زنی از طریق تله ها وابستگی قوی به میدان الکتریکی و دما دارد. در ساختار ترانزیستورهای مورد بحث در این مقاله از نیمه هادی های گروه سه و پنج جدول تناوبی استفاده شده است. هم چنین اثر متغیرهای ساختاری مختلف بر میزان جریان تونل زنی از طریق تله ها در این پژوهش مورد بررسی قرار گرفته است.