A Procedure to Analyze a CNTFET-Based ‎NOT Gate with Parasitic Elements of ‎Interconnection Lines

Author(s):

R. Marani , A. G. Perri *

Message:
Article Type:
Research/Original Article (دارای رتبه معتبر)
Abstract:
In this paper we analyze an application of CNTFET in the design of NOT gate, in which parasitic elements of interconnection lines are considered. At first we study the time domain analysis of NOT gate without to consider the parasitic elements of interconnection lines, in order to compare the obtained results with those in which the parasitic elements are considered, showing how they limit the high-speed performances of CNTs.
Keywords:

CNTs , CNTFET , Modelling , NOT gate , Integrated Circuit Interconnections , VLSI , ADS.‎

Language:
English
Published:
International Journal Of Nanoscience and Nanotechnology, Volume:17 Issue: 3, Summer 2021
Pages:
161 to 171
magiran.com/p2312521  
دانلود و مطالعه متن این مقاله با یکی از روشهای زیر امکان پذیر است:
اشتراک شخصی
با عضویت و پرداخت آنلاین حق اشتراک یک‌ساله به مبلغ 1,390,000ريال می‌توانید 70 عنوان مطلب دانلود کنید!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی نامحدود همه کاربران به متن مطالب تهیه نمایند!
اطلاعات بیشتر
توجه!
  • حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران می‌شود.
  • پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانه‌های چاپی و دیجیتال را به کاربر نمی‌دهد.
In order to view content subscription is required

Personal subscription
Subscribe magiran.com for 70 € euros via PayPal and download 70 articles during a year.
Organization subscription
Please contact us to subscribe your university or library for unlimited access!
More information