تاثیر فشار هیدرواستاتیک بر میزان بازترکیبی تابشی سلولهای خورشیدی InGaN/GaN باچاه کوانتومی چند گانه

در این مقاله ، از یک مدل عددی برای تجزیه و تحلیل پارامترهای فتو-ولتیک با توجه به خصوصیات الکترونیکی سلول های خورشیدی InGaN/GaN با چاه کوانتومی چندگانه (MQWSC) تحت فشار هیدرواستاتیک استفاده شده است. از تکنیک های دیفرانسیل محدود برای بدست آوردن مقادیر ویژه انرژی و توابع ویژه الکترونی و روش k.p برای حفره ها تحت فشار هیدرواستاتیک اعمال شده استفاده می شود. تمام گذارهای مجاز متقارن تا زیر باند پنجم چاه های کوانتوم (مدل چند زیر باند) و جذب نوری سد در نظر گرفته شده است. عرض خطی ناشی از پراکندگی های حاملها باهم و حامل ها با فونونهای طولی (LO) نیز در نظر گرفته شده است. تغییر فشار تا 10 گیگا پاسکال باعث افزایش زمان پراکندگی داخل باند تا 38 فمتو ثانیه برای حفره های سنگین و 40 فمتو ثانیه برای حفره های سبک می شود، ارتفاع تابع لورنتس را افزایش می دهد، انرژی گذار بین نواری را کاهش می دهد و سرعت بازترکیبی تابشی را کاهش می دهد. مدل چند زیر باند تاثیر مثبتی بر میزان بازترکیبی تابشی دارد.