لایه نشانی تیتانیوم کروم نیترید روی زیر لایه سیلیکون به وسیله کندوپاش مگنترونی رادیو فرکانسی

لایه نازک سه تایی تیتانیوم کروم نیتراید روی زیر لایه سیلیکون (100) بدون دمای خارجی به وسیله کندوپاش مگنترونی رادیو فرکانسی نهشت شد. زیر لایه در فاصله 35 میلی متری از هدف قرار داده شد. ریخت شناسی رشد، ساختار کریستالی، زبری، زاویه تماس و ضخامت پوشش به صورت تابعی از توان رادیو فرکانسی ورودی و ولتاژ بایاس منفی مطالعه شد. نتایج پراش اشعه ایکس نشان می دهد که پیکهای پراش تیتانیوم کروم نیتراید فقط در نمونه های با بایاس منفی 70 ولت زیرلایه رویت شد. ریخت شناسی سطح به وسیله میکروسکوپ نیروی اتمی و میکروسکوپ الکترونی روبشی نشر میدان بررسی شد. فیلمها با افزایش ولتاژ بایاس منفی از آبدوستی به آبگریزی تغییر می کنند. زبری و زاویه تماس نمونه ها با کاهش توان رادیو فرکانسی از 300 وات به 200 وات افزایش می یابند. در هر دو حالت (الف) و (ب) آهنگ نهشت با افزایش توان هدف، افزایش می یابد.