Simulation and fabrication of 3.5W 8.8-9.2 GHz power amplifier

Author(s):

mehdi Forouzanfar

Message:
Article Type:
Research/Original Article (بدون رتبه معتبر)
Abstract:

This paper presents different steps of simulation and fabrication of a power amplifier, which was realized using a discrete GaN HEMT transistor in the frequency range of 8.8-9.2 GHz. The required wire bonds and matching circuits were characterized using three-dimensional simulations in HFSS and Momentum ADS software. The fabricated power amplifier provides an output power of 3.5W and a power gain of 13 dB.

Keywords:

GaN HEMT , discrete GaN HEMT transistors , matching circuit , output power , X-band

Language:
English
Published:
Majlesi Journal of Telecommunication Devices, Volume:10 Issue: 4, Dec 2021
Pages:
165 to 168
magiran.com/p2365150  
دانلود و مطالعه متن این مقاله با یکی از روشهای زیر امکان پذیر است:
اشتراک شخصی
با عضویت و پرداخت آنلاین حق اشتراک یک‌ساله به مبلغ 1,390,000ريال می‌توانید 70 عنوان مطلب دانلود کنید!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی نامحدود همه کاربران به متن مطالب تهیه نمایند!
اطلاعات بیشتر
توجه!
  • حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران می‌شود.
  • پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانه‌های چاپی و دیجیتال را به کاربر نمی‌دهد.
In order to view content subscription is required

Personal subscription
Subscribe magiran.com for 70 € euros via PayPal and download 70 articles during a year.
Organization subscription
Please contact us to subscribe your university or library for unlimited access!
More information