تنظیم پذیری مدهای نقص بلور فوتونی یک بعدی نقص دار متقارن و نامتقارن بر پایه ی تک لایه ی دو بعدی MoSe2

نانوساختار دی سلنید مولیبدن MoSe2 با ساختار دوبعدی شش ضلعی، به علت ویژگی های منحصر به فرد از جمله جذب بالا و گاف نواری مستقیم انتخاب مناسبی برای کاربری های اپتوالکترونیکی می باشد. یکی از روش های افزایش جذب در این تک لایه ، قرار دادن آن به صورت نقص در ساختارهای بلور فوتونی یک بعدی می باشد. قرارگیری نقص ها در ساختار بلور فوتونی به صورت متقارن یا نامتقارن می باشد که بر تعداد و فرکانس مدهای نقص اثر می گذارد. در این مقاله برای رسیدن به جذب بالا و تنظیم پذیری طول موج مد نقص، تاثیر عواملی مانند ضخامت لایه ی نقص، ضخامت لایه ها و دوره تناوب در بلورهای فوتونی نقص دار متقارن و نامتقارن بررسی شده است. در ساختارهای متقارن بهینه به یک مد نقص با جذب کامل در وسط گاف نواری و در ساختارهای نامتقارن به دو مد نقص با جذب در حدود 70% و 80% در لبه های گاف نواری دست یافته ایم. با تغییر ضخامت لایه ی نقص و طول موج طراحی، قابلیت تنظیم پذیری طول موج مد نقص وجود دارد که برای کاربری در آشکارسازها و فیلترهای جاذب مفید می باشد.