بهبود مشخصه های الکتریکی ترانزیستور MESFET با اعمال تغییرات ساختاری

در این مقاله، یک ساختار جدید از ترانزیستور اثر میدان فلز-نیمه هادی کربید سیلیسیم ارایه می شود. در ساختار پیشنهادی قسمت بالای کانال در زیر گیت از نیم رسانا با چگالی ناخالصی خیلی کم و در کف کانال از نیم رسانا با چگالی ناخالصی بالا استفاده شده است. مهمترین مشخصه های الکتریکی ترانزیستور پیشنهادی از قبیل ولتاژ شکست، جریان درین، ولتاژ آستانه، میدان الکتریکی و خازن گیت شبیه سازی و با این مشخصه ها در ترانزیستور مرسوم مقایسه شده است. با توجه به نتایج شبیه سازی، ساختار پیشنهادی باعث کم شدن بیشینه ی میدان الکتریکی در کانال و در نتیجه افزایش ولتاژ شکست از 127 ولت به 136.5 ولت نسبت به ساختار مرسوم می شود. همچنین، ساختار جدید باعث افزایش 30 درصدی جریان اشباع درین نسبت به ساختار اولیه می شود. چگالی ناخالصی بالا در کف کانال باعث شیفت منفی در ولتاژ آستانه در ترانزیستور ارایه شده می شود. با توجه به نتایج به دست آمده و افزایش جریان درین و ولتاژ شکست، ترانزیستور پیشنهادی می تواند در کاربردهای با توان بالاتر مورد استفاده قرار گیرد.