تاثیر ویژگی های فیزیکی تیپ و زیرلایه بر تقویت میدان الکتریکی در طیف سنجی رامان تقویت شده با تیپ

در این مقاله از روش تفاضل محدود در حوزه زمان برای تخمین شدت و توزیع میدان الکتریکی تقویت شده بصورت موضعی در طیف سنجی رامان تقویت شده با تیپ (TERS) در مجاورت تیپ مخروطی شکل به قطر نوک 10 نانومتر استفاده شده است. ضمن مقایسه میدان الکتریکی تقویت شده در دو پیکربندی با زیرلایه و بدون زیرلایه، تاثیر استفاده از مواد مختلف برای تیپ در مجاورت زیر لایه و همچنین اثر لایه نشانی نازک فلزهای مختلف بر روی تیپ در میزان تقویت میدان الکتریکی بررسی شده است. جنس تیپ در سیستم TERS از موادی نظیر طلا، نقره، آلومینیوم، مس و سیلیکون و همچنین حالت ترکیبی از این مواد بصورت لایه نشانی در نظر گرفته شده است. از نتایج شبیه سازی بدست آمده می توان برای پیش بینی شدت و توزیع میدان الکتریکی تقویت شده موضعی در طراحی ساختار هندسی و فیزیکی مناسب برای پیاده سازی تجربی TERS استفاده کرد.