بررسی خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیبات تمام هویسلر V2ScX(X = Ga, In)

با استفاده از نظریه تابعی چگالی، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیبات تمام هویسلر V2ScX (X = Ga, In) مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می دهند که V2ScIn دارای گاف نیم فلزی به اندازه 45/0 الکترون ولت است و یک فرومغناطیس نیم فلز می باشد که خاصیت نیم فلزی خود را در بازه نسبتا بزرگی از ثابت شبکه حفظ می کند. این ترکیب برای کاربردهای اسپینترونیک مناسب است. ترکیب V2ScGa رفتار فلزی از خود نشان می دهد. این ترکیبات تمام هویسلر از رابطه اسلیتر-پایولینگ پیروی می کنند و دارای مغناطش کل صحیحی می باشند. بعد از بررسی خواص اپتیکی این نتیجه حاصل شد که این ترکیبات می توانند گزینه مناسبی برای استفاده به عنوان جاذب امواج باشند.