طراحی یک مقایسه کننده کم توان سرعت بالا با سطح اشغالی کم در فناوری فین فت 65 نانومتری

در این مقاله، یک مدار مقایسه کننده جدید کم توان و پرسرعت به کمک ترانزیستور اثر میدان باله ای (Finfet) در فناوری 65 نانومتری طراحی شده است. علاوه بر این، با استفاده صحیح از قابلیت های فناوری Finfet، تعداد ترانزیستورها کاهش یافته و درنتیجه، سطح کمتری اشغال می شود. جایگزینی ترانزیستورهای MOSFET با Finfet باعث کاهش تاخیر و مصرف توان مدار شده، عملکرد کلی مدار بهبود می یابد. اولین نوآوری در طرح پیشنهادی این است که برای کاهش اندازه و مصرف توان، دو ترانزیستور حذف شده اند و گیتهای پشتی دو ترانزیستور به صورت متقاطع قرار گرفته اند. نوآوری دوم، اتصال گیتهای پشتی به نقاط مناسبی از مدار است که سرعت مقایسه را افزایش می دهد. در این مطالعه، تغذیه 0.8 ولت به مدار اعمال می شود تا نشان دهد که مدار پیشنهادی با Finfet باعث کاهش تاخیر به 272 پیکوثانیه و مصرف توان به 6.7میکرووات می شود.