طراحی یک مقایسه کننده کم توان سرعت بالا با سطح اشغالی کم در فناوری فین فت 65 نانومتری

پیام:
نوع مقاله:
مقاله پژوهشی/اصیل (بدون رتبه معتبر)
چکیده:

در این مقاله، یک مدار مقایسه کننده جدید کم توان و پرسرعت به کمک ترانزیستور اثر میدان باله ای (Finfet) در فناوری 65 نانومتری طراحی شده است. علاوه بر این، با استفاده صحیح از قابلیت های فناوری Finfet، تعداد ترانزیستورها کاهش یافته و درنتیجه، سطح کمتری اشغال می شود. جایگزینی ترانزیستورهای MOSFET با Finfet باعث کاهش تاخیر و مصرف توان مدار شده، عملکرد کلی مدار بهبود می یابد. اولین نوآوری در طرح پیشنهادی این است که برای کاهش اندازه و مصرف توان، دو ترانزیستور حذف شده اند و گیتهای پشتی دو ترانزیستور به صورت متقاطع قرار گرفته اند. نوآوری دوم، اتصال گیتهای پشتی به نقاط مناسبی از مدار است که سرعت مقایسه را افزایش می دهد. در این مطالعه، تغذیه 0.8 ولت به مدار اعمال می شود تا نشان دهد که مدار پیشنهادی با Finfet باعث کاهش تاخیر به 272 پیکوثانیه و مصرف توان به 6.7میکرووات می شود.

زبان:
انگلیسی
صفحات:
9 -18
لینک کوتاه:
magiran.com/p2443643 
برخی از خدمات از جمله دانلود متن مقالات تنها به مشترکان مگیران ارایه می‌گردد. شما می‌توانید به یکی از روش‌های زیر مشترک شوید:
اشتراک شخصی
با عضویت و پرداخت آنلاین حق اشتراک یک‌ساله به مبلغ 700,000ريال می‌توانید 100 عنوان مطلب دانلود کنید!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی نامحدود همه کاربران به متن مطالب تهیه نمایند!
توجه!
  • دسترسی به متن مقالات این پایگاه در قالب ارایه خدمات کتابخانه دیجیتال و با دریافت حق عضویت صورت می‌گیرد و مگیران بهایی برای هر مقاله تعیین نکرده و وجهی بابت آن دریافت نمی‌کند.
  • حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران می‌شود.
  • پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانه‌های چاپی و دیجیتال را به کاربر نمی‌دهد.