پاسخ غیرخطی و پایداری نانولوله های فلکسوالکتریک حامل سیال تحت میدان دمایی با استفاده از تئوری گرادیان کرنش غیرموضعی

در این مقاله روش مقیاس های چندگانه برای حل معادلات ارتعاشات آزاد و اجباری غیرخطی نانولوله های فلکسوالکتریک حامل سیال لزج، تحت میدان دمایی واقع بر روی فونداسیون الاستیک غیرخطی با استفاده از تیوری گرادیان کرنش غیرموضعی ارایه شده است. با فرض تیوری تیر اولر- برنولی با تکیه گاه ساده و هندسه غیرخطی ون کارمن، معادله دیفرانسیل حاکم بر ارتعاشات غیرخطی استخراج شده است. یک ولتاژ الکتریکی به سطح بالای نانولوله اعمال می شود که شرایط میدان الکتریکی مدار بسته را ایجاد می کند. در پایان، اثر پارامترهای مختلف مانند تغییرات دما، ولتاژ الکتریکی و... بر روی قسمت های حقیقی و موهومی فرکانس های طبیعی بررسی شده است. همچنین، اثر ضریب فلکسوالکتریک بر رزنانس اولیه، زیرهارمونیک و فوق هارمونیک بررسی شده است. نتایج نشان می دهد که ضریب فلکسوالکتریک باعث می شود که در رزنانس اولیه و فوق هارمونیک، در ابتدا سیستم رفتار سخت شونده از خود نشان می دهد و پدیده پرش کاملا مشخص است. اما با افزایش آن،  سیستم رفتار نرم شونده از خود نشان می دهد.