اثر تغییرات دما بر روی ویژگیهای ترموالکتریکی نانولوله تک لایه ی دو سر بسته ی نیترید بور (6،3)

در این تحقیق خصوصیات ترموالکتریک نانو لوله ی نیترید بور دو سر بسته تک لایه ی (TSC-SWBNNT(6,3)) در حالت بدون ناخالصی در بازه ی انرژی 5.5- تا 5.5 الکترون ولت و دماهای 200، 300، 500، 700 و 900 کلوین مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می دهد با افزایش دما طول باند گپ تحت تاثیر قرار گرفته و کاهش محسوسی می یابد. پیکهای نمودار رسانش با افزایش دما کوچکتر و کمتر شده است که نشان دهنده ی مراجعت تعداد بیشتر الکترونها و حفره ها به ترتیب اطراف باند لومو (LUMO) و هومو (HOMO) و باعث کاهش باند گپ و افزایش رسانش شده است. ضمنا ضریب سیبک (توان حرارتی) با افزایش دما تا 900 کلوین، افزایش تا حدود 370 میکرو ولت بر کلوین را تجربه کرده است. با افزایش دما، ضریب شایستگی (ZT) تا حدود عدد 0.95 افزایش یافته که انتظار می رود با افزایش بیشتر دما، این ضریب مقادیر بیشتری را تجربه کند. رسانندگی گرمایی نیز با افزایش دما مقداری افزایش یافته ولی در حد نانو محدود مانده است که نشان از کوچک بودن مقدار آن می باشد. بنابراین در کل می توان نتیجه گرفت این نانولوله می تواند به عنوان ماده ترموالکتریک مناسبی انتخاب گردد.