بررسی ابتدا به ساکن خواص نوری نانوورقه و نانو لوله As2GeSe

در این مقاله ویژگی نوری نانوورقه و نانولوله دسته صندلی (6،6) ترکیب As2GeSe (بخش حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، تابع اتلاف انرژی، ضریب شکست، ضریب بازتاب و ضریب جذب) با استفاده از نظریه تابعی چگالی و روش  شبه-پتانسیل مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج به دست آمده از ویژگی نوری نانوصفحه، ناهمسانگردی این ترکیب را به خصوص در انرژی های پایین و میانی نشان می دهد. رفتار تابع دی الکتریک این ماده مانند مواد نیم رسانا است. بیشتر قله های قسمت موهومی تابع دی الکتریک برای راستاهای درون صفحه ای نانوورقه و رشد نانولوله از انرژی های پایین تا حدود 6 الکترون ولت شروع می شود. انتقال های نوری در زیر تراز فرمی به اوربیتال های p برای اتم های As، Ge وS و در بالای تراز فرمی به اوربیتال های p اتم های Se و As مربوط هستند. نتایج ما نشان می دهد که بیشترین بازتاب برای نانوورقه، در راستای درون صفحه ای در انرژی 66/5 الکترون ولت برابر با 46% است.