طول عمرنوسان ها و مسیر آزاد میانگین فونون های گرافن با استفاده از دینامیک مولکولی و چگالی انرژی طیفی

در این تحقیق شبیه سازی دینامیک مولکولی با تجزیه و تحلیل طیفی فونون با هدف درک رسانش گرمایی در گرافن انجام شد. برای محاسبه طول عمر و مسیر آزاد میانگین فونون های هر مد از سرعت اتم های به دست آمده از شبیه سازی دینامیک مولکولی، تجزیه و تحلیل چگالی انرژی طیفی استفاده گردید. محاسبات انجام شده نشان می دهد که فونون های آکوستیکی یعنی فونون های مربوط به مدهای ZA،LA وTA طول عمر و مسیر آزاد میانگین بیشتری داشته در نتیجه سهم بیشتری در رسانش گرمایی دارند. در بین فونون های اپتیکی فونون های مربوط به مد ZO یعنی ارتعاش های خارج از صفحه گرافن نسبت به مدهای LO ,TO طول عمر قابل ملاحظه ای دارند ولی به دلیل سرعت گروه پایین نقش آنها در رسانش گرمایی ناچیز است.