اثر وارون اسپین هال و اثر «سیبک» اسپین در دی سولفید تنگستن

در این مقاله، وابستگی اثر پمپاژ اسپین به لایه ای از دی سولفید تنگستن (WS2) با استفاده از اثر وارون اسپین هال (ISHE) بررسی شده است. حرکت تقدیمی بردار مغناطش، اثر پمپاژ اسپین در یک فیلم نارسانای فری مغناطیسی ایجاد می کند. سپس جریانی از الکترون ها با اسپین قطبی شده به لایه ی NM از یک ماده غیرمغناطیسی، چون پلاتین (Pt)، تزریق می شود. این جریان اسپین با استفاده از روشISHE  به جریان الکتریکی تبدیل می شود. در کار حاضر، کارایی تزریق اسپین به دی سولفید تنگستن (WS2) بررسی و دریافت شد که با افزایش ضخامت فیلم، ولتاژ ISHE نیز افزایش می یابد، سپس این رابطه با نظریه مقایسه شد. در مرحله بعد، طول نفوذ اسپین و رسانایی مخلوط اسپین از تغییر ضریب میرایی گیلبرت با ضخامت به دست آمد. با توجه به اطلاعات بدست آمده، بررسی های مشابهی در موادی چون؛ ایتریوم- آهن- گارنت یا آلیاژ Mo1-xWxS2 انجام شده است. اگرچه در مورد دی سولفید تنگستن بررسی ها صورت نگرفته است. لازم به یادآوری است که مطالعاتی چون بررسی اثر جفت شدگی اسپین- مدار، بررسی پراکندگی ریمان مرتبه دوم و همچون آن در مورد دی سولفید تنگستن انجام شده است و همچنان ادامه دارد. امیدواریم کار حاضر بتواند راهنمای مناسبی برای توسعه مطالعات بیشتر دراین زمینه باشد.