تحرک پذیری و ویژگی های ترموالکتریکی دیامان های نیمه هادی

در این مقاله تحرک پذیری و خواص ترموالکتریکی دیامان های  (Cl و F و C2X (X= H با استفاده از نظریه تابعی چگالی و بسته محاسباتی کوانتوم اسپرسو و بولتزراپ مطالعه می شود. در تمامی ساختارهای (Cl و F و C2X (X=H تحرک پذیری حفره ها کوچک تر از تحرک پذیری الکترون ها است. این امر ناشی از شکل ساختار نواری هر ساختار است. برای ساختارهای  C2H، C2F و C2Cl با آلایش نوع p بیشینه ضریب سیبک به ترتیب برابر است با µV/K 2733، 2811 و 2201 و برای آلایش نوع n، بیشینه ضریب سیبک مواد فوق به ترتیب  2767،- 2696- و 2269- µV/K است. در تمامی ساختارها پارامترهای ترموالکتریکی از جمله رسانندگی الکتریکی، رسانندگی گرمایی الکتریکی و ضریب توان در مقادیر مثبت پتانسیل شیمیایی بیشینه هستند. در نتیجه این مواد با آلایش نوع n می توانند مواد ترموالکتریکی مناسب تری باشند. همچنین هر سه ساختار در بازه دمایی 200-500 کلوین بیشینه ضریب توان را دارند‏.