بررسی مقاومت مغناطیسی بزرگ در شبکه ای دو بعدی مربعی شامل دو ماده با مرز مورب

مقاومت مغناطیسی بزرگ به دلیل کاربرد های فراوان آن در شاخه های مختلف از جمله ساخت حسگر های مغناطیسی مورد توجه زیادی قرار گرفته است. حالت مهمی از این نوع مقاومت، مقاومت مغناطیسی خطی ناشی از ناهمگنی توزیع بار است. مقاومت مغناطیسی رسانای ناهمگن به وسیله مدل شبکه ای مقاومت دو بعدی شبیه سازی می شود. در مدل شبکه ای، واحد مقاومت قرص دایره ای همگن با چهار پایانه جریان و اختلاف پتانسیل بین پایانه ها در نظرگرفته و جریان ها و اختلاف پتانسیل ها به وسیله ماتریس امپدانس به یکدیگر مرتبط می شوند و میدان مغناطیسی اعمالی عمود برشبکه است. در این مقاله تغییرات مقاومت مغناطیسی برای شبکه ای شامل دو زیرسامانه با مقاومت های متفاوت با چینش مورب را مطالعه و بررسی می کنیم. نتایج نشان می دهد تغییرات مقاومت مغناطیسی سامانه ناهمگن به نسبت مقاومت دو ماده و همچنین مکان مرز بین آنها بستگی دارد. علاوه براین مشاهده شد که برای مقادیر بزرگ نسبت مقاومت یا ناهمگنی بالا امکان وجود قله در تغییرات مقاومت وجود دارد.