Ab-initio Calculation of Structural and Electronic Properties of Topological Insulator SnBi2Te4

Author(s):

Hamdollah Salehi* , Naser Ebrahimi

Message:
Article Type:
Research/Original Article (دارای رتبه معتبر)
Abstract:

We report the electronic, structural and optical properties of topological insulator SnBi2Te4 calculated by means of linear augmented plane waves with full potential (FP-LAPW) within the framework of density functional theory (DFT) implemented in Wien2k code. Bulk band gaps of 0.36eV and 0.22eV are predicted by using PBE and LDA approximations, respectively. These gaps indicated that SnBi2Te4 is potentially suitable for room temperature electronics applications. The results are in accordance with other works.

Keywords:

Topological insulator , Density functional theory , Band gap

Language:
Persian
Published:
Iranian Journal of Ceramic Science & Engineering, Volume:12 Issue: 1, 2023
Pages:
1 to 11
magiran.com/p2651777  
دانلود و مطالعه متن این مقاله با یکی از روشهای زیر امکان پذیر است:
اشتراک شخصی
با عضویت و پرداخت آنلاین حق اشتراک یک‌ساله به مبلغ 1,390,000ريال می‌توانید 70 عنوان مطلب دانلود کنید!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی نامحدود همه کاربران به متن مطالب تهیه نمایند!
اطلاعات بیشتر
توجه!
  • حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران می‌شود.
  • پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانه‌های چاپی و دیجیتال را به کاربر نمی‌دهد.
In order to view content subscription is required

Personal subscription
Subscribe magiran.com for 70 € euros via PayPal and download 70 articles during a year.
Organization subscription
Please contact us to subscribe your university or library for unlimited access!
More information