آنالیز و شبیه سازی مشخصات دیودهای کربید سیلیسیم

در این مقاله مشخصات دیودهای کربید سیلیسیمی مورد بررسی و تجزیه و تحلیل قرار می گیرند. همچنین براساس شبیه سازی های انجام شده به مقایسه مشخصات این عناصر و مزایای آن نسبت به عناصر سیلیسیمی پرداخته شد. یکی از نتایج به دست آمده از این آنالیز این است که پیوندهای p-n کربید سیلیسیمی، به علت این که چگالی جریان معکوس آنها کم و ولتاژ شکست آنها بالا است می توانند. اما به علت بالاتربودن ولتاژ سد داخلی در پیوند 6H-SiC p-n، تلفات توان دیودهای کربید سیلیسیمی در بایاس مستقیم بیشتر از سیلیسیمی است و این عیب رامی توان با استفاده ازدیودهای شاتکی 6H-SiC که ولتاژ سد داخلی کمتری دارند جبران کرد.