خواص مغناطو - اپتیکی تک بلور GaP

وابستگی دمایی مغناطو - اپتیکی و مغناطو - رسانش نوری در بازه 200 تا 300 کلوین اندازه گیری شده است. یخچال اپتیکی مورد اندازه گیری ساخت آزمایشگاه محلی است. برای این نمونه، گاف انرژی اندازه گیری شده در دمای اتاق eV 2.211 به دست آمد. ضریب دمایی گاف انرژی اندازه گیری شده با روش جذب نوری eV/K -5.48×10-4 و با اندازه گیری رسانش نوری eV/K -4.90×10-4 به دست آمد. اندازه گیری ضریب میدان مغناطیسی گاف انرژی نشان می دهد که این کمیت بستگی به دما دارد و با میدان مغناطیسی اعمال شده 2.2 تسلا در دمای 202 کلوین اندازه آن eV/Tesla 1.34×10-5 است در حالی که در دمای اتاق eV/Tesla 2.67×10-3 می باشد. جرم موثر کاهش یافته حاملان نیز از دو روش مذکور محاسبه شد که برای دمای 202 و 330 کلوین با استفاده از داده های مغناطو - اپتیکی به ترتیب 0.034m و 0.021m و برای داده های مغناطو – رسانش نوری 0.052m و 0.032m محاسبه شد.