مجله فیزیک کاربردی
سال سوم شماره 2 (پیاپی 5، پاییز و زمستان 1392)

در این مقاله با استفاده از طیف های الکترونی حاصل از بر هم کنش لیزر-پلاسما تولید اشعه ایکس تابش ترمزی در هدف های مختلف با استفاده از کدMCNPX شبیه سازی می شود. هدف از این کار به دست آوردن جنس و ضخامت بهینه جهت بازدهی بالای تولید اشعه ایکس، یافتن زاویه بهینه گسیل اشعه ایکس از هدف و به دست آوردن طیف الکترونی بهینه جهت تولید اشعه ایکس با شار مناسب جهت کاربردهای پزشکی وتولید نوترون است. نتایج نشان می دهند که با افزایش انرژی بیشینه الکترون، ضخامت بهینه بازدهی خروجی را افزایش می دهد. همچنین برای مواد با چگالی بیشتر، افزایش گسیل فوتون های ترمزی در ضخامت های کمتر روی می دهد و شار بیشتری از نوترون مشاهده می شود.

گرافین، به دلیل تحرک الکترونی بالا و انعطاف پذیری، برای ساخت قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد بالا در چند سال اخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (GNRFET) بررسی می کنیم که در آن کانال متشکل از آرایه ای از نانو نوارهای گرافینی دسته صندلی می باشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروستاتیکی کمینه ای که از حل تقریبی معادله پواسون تقریبی با شرایط مرزی مناسب به دست می آید، در مقادیر متفاوت ولتاژهای گیت بالا و پایین محاسبه می نماییم. نتایج ما نشان می دهند اثر دما بر منحنی مشخصه جریان-ولتاژ به لحاظ کمی قابل ملاحظه است به طوری که با بالا رفتن دما، چگالی جریان بشدت افزایش یافته و این افزایش در دماهای بالاتر، بیشتر است. همچنین با افزایش ولتاژ گیت بالا و گیت پایین، شیب منحنی جریان برحسب دما تندتر می باشد.