به جمع مشترکان مگیران بپیوندید!

تنها با پرداخت 70 هزارتومان حق اشتراک سالانه به متن مقالات دسترسی داشته باشید و 100 مقاله را بدون هزینه دیگری دریافت کنید.

برای پرداخت حق اشتراک اگر عضو هستید وارد شوید در غیر این صورت حساب کاربری جدید ایجاد کنید

عضویت
فهرست مطالب نویسنده:

r. rajaei

  • رامین رجائی*

    با کاهش ابعاد ترانزیستورهای CMOS که به منظور دست یابی به کارایی بیشتر است، آسیب پذیری مدارهای منطقی دیجیتال در مقابل با خطاهای نرم ناشی از برخورد ذرات پرانرژی در حال افزایش است. فلیپ فلاپ ها یکی از عناصر مهم مدارهای منطقی ترکیبی بوده که در مقابل تک رویداد واژگونی (SEU) و تک رویداد چندگره واژگونی (SEMU) بسیار آسیب پذیر هستند. در این مقاله، یک مدار فلیپ فلاپ جدید مصون در برابر SEU و همچنین مقاوم در برابر SEMU، طراحی و ارزیابی شده است. در مقایسه با کارهای مشابه قبلی، مدار پیشنهادی علاوه بر آن که دارای هزینه های طراحی کمی است، دارای مصونیت در مقابل SEU و همچنین مقاومت بالا در مقابله با SEMU نیز می باشد. این مهم به کمک تحلیل مداری و همچنین شبیه سازی های صورت گرفته تحقیق و نشان داده شده است. بر اساس نتایج حاصل از این شبیه سازی ها، مدار فلیپ فلاپ پیشنهادی در مقایسه با مدار فلیپ فلاپ مشهور و پرکاربرد MS-DICE، 20% توان مصرفی و 31% تاخیر کمتری را پیشنهاد می دهد. در ادامه این مقاله، عملکرد مدار فلیپ فلاپ پیشنهادی در مقابل تغییرات فرآیند، ولتاژ و دما (PVT) نیز مورد بررسی قرار گرفته و نشان داده شده که این مدار در مقابل تغییرات PVT نیز عملکرد قابل اطمینانی از خود نشان می دهد.

    کلید واژگان: فلیپ فلاپ، تک رویداد واژگونی (SEU)، خطای نرم، طراحی کم توان، فن آوری نانو
    R. Rajaei*

    As CMOS transistors are scaling down to improve performance, vulnerability of digital logic circuits to soft errors caused by energetic particles are increasing. Flip-flops (FF) are of the main elements of sequential logic circuits that are very susceptive to single event upset (SEU) and single event multiple-node upset (SEMU). In this paper, a new FF circuit robust against transient faults of SEU and SEMU caused by high-energy particle strikes is designed and evaluated. In comparison with previous work, the proposed circuit offers a low design cost, while, it also has a high degree of robustness against SEU/SEMU. This achievement is discussed and also evaluated by the simulations carried-out. Simulation results reveal that, the proposed circuit offers 20% improvement in power consumption and also 31% in delay as compared to the well-known and widely used MS-DICE FF. The effects of process, voltage, and temperature (PVT) variations on the performance of the proposed FF are also investigated and it is shown that this circuit has a reliable operation in the presence of PVT variations as well.

    Keywords: Flip-flop sin, gle event upset (SEU), soft error, low-power design, Nanotechnology
بدانید!
  • در این صفحه نام مورد نظر در اسامی نویسندگان مقالات جستجو می‌شود. ممکن است نتایج شامل مطالب نویسندگان هم نام و حتی در رشته‌های مختلف باشد.
  • همه مقالات ترجمه فارسی یا انگلیسی ندارند پس ممکن است مقالاتی باشند که نام نویسنده مورد نظر شما به صورت معادل فارسی یا انگلیسی آن درج شده باشد. در صفحه جستجوی پیشرفته می‌توانید همزمان نام فارسی و انگلیسی نویسنده را درج نمایید.
  • در صورتی که می‌خواهید جستجو را با شرایط متفاوت تکرار کنید به صفحه جستجوی پیشرفته مطالب نشریات مراجعه کنید.
درخواست پشتیبانی - گزارش اشکال