بررسی خواص الکتریکی AC وDC و مورفولوژی نانو ساختارهای Al/TiO2/PSi/Al

در این تحقیق لایه های سیلیسیوم نانومتخلخل با درصد تخلخل های مختلف با استفاده از روش آنودیزاسیون الکتروشیمیایی تهیه شدند. مورفولوژی سطوح و اندازه حفره ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی عبوری بررسی شد. لایه های دی اکسید تیتانیوم به روش تبخیر با پرتو تفنگ الکترونی بر روی سیلسیوم متخلخل لایه نشانی شدند. اثر شرایط آنودیزاسیون مانند زمان آنودی سازی و چگالی جریان بر مورفولوژی و خواص الکتریکی قطعات با اندازه گیری ولتاژ- جریان بررسی شد. نتایج نشان داد که خواص الکتریکی تحت تاثبر چگالی جریان و زمان آنودی سازی قرار می گیرد. هم چنین رسانندگی Ac قطعات ساندویچی Al/TiO2/PSi/Al را در محدوده فرکانسی 102تا 105هرتز و محدوده دمایی300 تا 378 کلوین بررسی کردیم. در محدوده فرکانسی کم تر از 103 هرتز نظریه نواری و در محدوده فرکانسی بزرگ تر از 103 هرتز مکانیزم هوپینگ در توضیح رسانندگی نانو ساختارهای لایه نازک TiO2/Psi با الکترودهای آلومینیوم کاربرد دارد.