بررسی مشخصه حسگر نوری پیوندگاه نامتجانس AZO/p-Si لایه نشانی شده به روش افشانه داغ

در این تحقیق لایه AZO (اکسید روی الایش یافته با الومینیوم) بر روی زیر لایه p-Si به روش افشانه داغ لایه نشانی شد. هدف از این تحقیق بررسی خواص الکترواپتیکی پیوندگاه نامتجانس AZO/p-Si و نیزلایه AZO تحت تابش نور مری و فرابنفش قبل و پس از پخت است. پیوندگاه نامتجانس ایجاد شده می تواند به عنوان یک حسگر نوری و سلول خورشیدی عمل کند. به منظور بررسی ساختار بلوری و ریخت شناسی این لایه، از طیف پراش اشعهX (XRD) و میکروسکوپ الکترونی (SEM) استفاده شد. خواص فوتوولتاییک پیوندگاه نامتجانس AZO/p-Si اندازه گیری شد و نتایج نشان داد که اگرچه اتصال الکترود ها به نمونه اهمی بوده اما مقاومت ان ها هنوز بالا بوده که باعث کاهش بازده سلول خورشیدی می شود بنابراین برای بالا بردن بازده نیازمند اتصالات اهمی با مقاومت حدود Ω1 و همچنین استفاده از لایه های اکسید رسانای شفاف نظیر FTO هستیم.