افزاره آی ماس با ساختار نوار مهندسی شده (ناهمگون)

الگوی جدیدی برای افزاره آی ماس با ساختار نوار مهندسی شده (ناهمگون) پیشنهاد و شبیه سازی شده است. با توجه به این که ناحیه ذاتی در یک آی ماس نقش کنترل کننده فرایند تونل زنی نوار به نوار را ایفا می کند و ساز و کار غالب تولید حامل درون این ناحیه یونش برخوردی است، در الگوی پیشنهادی فرض شده که ماده تشکیل دهنده ناحیه ذاتی از جنس SixGex (1x5/0) باشد و اندازه گاف نوار آن از اندازه گاف Si در لبه سورس تا گاف 5/0Ge5/0Si در لبه گیت به طور خطی تغییر کند. این امر سبب می شود تا بزرگ ترین اختلاف در گاف نوار الگوی پیشنهادی برابر eV 32/0EG=EG= در فصل مشترک سورس و ناحیه ذاتی پدیدار شود و از احتمال وقوع تونل زنی نوار به نوار و در نتیجه از اندازه جریان خاموش بکاهد. نتایج عددی نشان می دهد ولتاژ شکست برای آی ماس ناهمگون پیشنهادی نسبت به یک ساختار آی ماس همگون از جنس 5/0Ge5/0Si با ابعاد مشابه، به اندازه V 3/0 و جریان خاموش آن حدود چهار برابر کاهش یافته است.