اثر میدان مغناطیسی بر اندام زایی مستقیم ریزنمونه بنفشه آفریقایی (Saintpaulia ionantha) در محیط فاقد و دارای تنظیم کننده های رشد

به منظور مطالعه تناوب زمان قرار گیری در معرض میدان مغناطیسی (9/. میلی تسلا) بر باززایی مستقیم بنفشه آفریقایی از ریز نمونه برگ در محیط MS فاقد و دارای تنظیم کننده رشد دو آزمایش انجام شد. آزمایش اول بصورت طرح کاملا تصادفی با اعمال سه سطح میدان مغناطیسی (5 روز پیوسته، 5 روز ناپیوسته و شاهد) در محیط کشت های فاقد تنظیم کننده رشد با 6 تکرار انجام شد. آزمایش دوم بصورت فاکتوریل در قالب طرح کاملا تصادفی انجام شد. فاکتورهای آزمایش شامل دو نوع تنظیم کننده رشد اکسین و سایتوکنین در دو سطح صفر، یک و سه میلی گرم و سه سطح میدان مغناطیس (5 روز پیوسته، 5 روز ناپیوسته و شاهد) بودند. این آزمایش نیز با 6 تکرار انجام شد. نتایج نشان داد ریزنمونه های قرار گرفته در معرض میدان ناپیوسته بیشترین (08/7) و در گروه شاهد (35/2) کمترین تعداد گیاهچه را تولید نمودند. میدان مغناطیسی در نبود تنظیم کننده های رشد اثر معنی داری بر طول گیاهچه نداشت اما این اثر در حضور تنظیم کننده ها بر طول ساقه چه معنی دار بود. افزایش تعداد برگ نیز در اثر دریافت میدان مغناطیسی پیوسته (4/4) و ناپیوسته (7/4) در محیط فاقد تنظیم کننده های رشد تقریبا دوبرابر شاهد (77/2) و معنی دار شد. وزن تر و خشک در شرایط میدان مغناطیسی ناپیوسته (49/0، 03/0 میلی گرم) بطور معنی داری نتیجه بهتری را نسبت به پیوسته (35/0، 02/0 میلی گرم) در شرایط بدون تنظیم کننده های رشد نشان داد. نتایج نشان داد وقتی که ریزنمونه ها در محیط حاوی 1 میلی گرم در لیتر تنظیم کننده های رشد، به مدت 5 روز به صورت پیوسته در معرض میدان مغناطیسی قرار بگیرند از وزن تر و خشک بیشتری در مقایسه با محیط کشت حاوی 3 میلی گرم در لیتر تنظیم کننده های رشد برخوردار خواهند بود. به نظر می رسد در این آزمایش میدان مغناطیسی به عنوان یک تنش غیرزیستی ملایم موجب تحریک در تقسیم و طویل شدن سلول ها و در نتیجه رشد گیاه گردید.