بررسی اثر پارامترهای فرآیندی روی خواص مغناطیسی، الکتریکی و جذب الکترومغناطیس رنگدانه نانوساختار استرانسیم هگزاگونال فریت

رنگدانه نانوساختار استرانسیم هگزاگونال فریت نوع M با ساختار شیمیایی SrFe12O19 در دماهای 1100-900 درجه سانتی گراد با روش های هم رسوبی و پچینی تهیه شدند. آنالیزهای پراش پرتو ایکس (XRD) ، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM) ، مغناطومتر نمونه مرتعش (VSM) و تحلیل گر برداری شبکه (VNA) جهت بررسی خواص ساختاری، مغناطیسی و دی الکتریک نانوذرات تهیه شده انجام گردید. با توجه به نتایج XRD، فاز استرانسیم هگزاگونال فریت در تمامی نمونه ها فاز غالب بوده و مقادیر شبکه بلوری تشکیل شده با تئوری آن سازگاری دارد. نتایج VSM و VNA نیز نشان داد که افزایش دمای کلسیناسیون، مغناطیس اشباع را افزایش و ثابت دی الکتریک را کاهش داده و بنابراین، نانوساختارهای سنتز شده قابلیت کاربرد در پوشش های جاذب رادار در فرکانس های بالا را دارا می باشند.