Design of X Band High Power Amplifier MMIC Based on AlGaN/GaN HEMT
Author(s):
Article Type:
Research/Original Article (دارای رتبه معتبر)
Abstract:
In this paper, we have presented an X band high power amplifier based on MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) technology for satellite remote sensing systems. We have used GaN HEMT process with 500 nm gate length technology with VD= 40 V and VG= -2 V in class E structure. The proposed two-stage power amplifier provides 25 dB power gain with maximum output power of 49.3 dBm at 10 GHz. Bandwidth of proposed high power amplifier is 2 MHz and we have achieved 49% Power Added Efficiency (PAE). We have designed a band pass filter for decreasing of memory effects in output. The active on chip area of layout obtained 35 mm2 (8.2 mm × 4.3 mm). We have obtained AM/PM and AM/AM, -3.8deg and 1 dB respectively in the worst case. The proposed power amplifier is unconditionally stable at the satisfied frequency range.
Keywords:
X band , MMIC , GaN HEMT , power amplifier
Language:
Persian
Published:
Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers, Volume:16 Issue: 2, 2019
Pages:
37 to 45
magiran.com/p2000733
دانلود و مطالعه متن این مقاله با یکی از روشهای زیر امکان پذیر است:
اشتراک شخصی
با عضویت و پرداخت آنلاین حق اشتراک یکساله به مبلغ 1,390,000ريال میتوانید 70 عنوان مطلب دانلود کنید!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی نامحدود همه کاربران به متن مطالب تهیه نمایند!
توجه!
- حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران میشود.
- پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانههای چاپی و دیجیتال را به کاربر نمیدهد.
In order to view content subscription is required
Personal subscription
Subscribe magiran.com for 70 € euros via PayPal and download 70 articles during a year.
Organization subscription
Please contact us to subscribe your university or library for unlimited access!