بررسی اثر میدان الکترواستاتیک بر پارامترهای انجماد و ریزساختار قارچ دکمه ای (Agaricus bisporus)

انجماد تحت میدان الکترواستاتیک یکی از روش های جدید انجماد به منظور بهبود کیفیت محصولات منجمد از طریق کنترل فرآیند هسته زایی است. هدف از این مطالعه بررسی اثر انجماد تحت میدان الکترواستاتیک بر پارامترهای انجماد و ریز ساختار قارچ دکمه ای به منظور بهبود کیفیت قارچ پس از رفع انجماد بود.

 نمونه های قارچ در دمای 30- درجه سلسیوس و تحت میدان الکترواستاتیک با ولتاژهای 0/0، 5/4، 0/9 و 5/13 کیلو ولت منجمد شدند و دمای مرکز نمونه ها طی انجماد ثبت گردید. به منظور ارزیابی ریزساختار قارچ از روش میکروسکوپ نوری استفاده گردید.

ارزیابی پارامتر های انجماد نشان داد که اعمال میدان الکتریکی طی انجماد باعث افزایش دمای هسته زایی و مدت زمان تغییر فاز می شود. دمای هسته زایی از 9/6- درجه سلسیوس در حالت بدون میدان به ترتیب به 3/4- و 0/5- درجه سلسیوس در حضور میدان الکتریکی با ولتاژ 5/4 و 0/9 کیلو ولت افزایش یافت درحالی که با افزایش بیشتر ولتاژ به 5/13 کیلو ولت دمای هسته زایی مجددا کاهش پیدا کرد. همچنین اعمال میدان الکتریکی منجر به کاهش آسیب به ریزساختار قارچ طی انجماد می شود و کوچک ترین کریستال های یخ در ولتاژهای 5/4 و 0/9 کیلو ولت تشکیل شدند.

انجماد تحت میدان الکتریکی منجر به افزایش دمای هسته زایی و کاهش اندازه کریستال های یخ و در نتیجه بهبود ریز ساختار قارچ دکمه ای شد. افزایش ولتاژ یک مقدار بهینه را برای افزایش دمای هسته زایی و بهبود ریز ساختار قارچ نشان داد.