بررسی مقاومت به رفتگی دما بالای پوشش های دو لایه SiC/ZrB2 با ساختار تدریجی اعمال شده به روش پاشش پلاسمایی محافظت شده با گاز آرگون تحت شعله پروپان

در این پژوهش پوشش دو لایه  SiC/ZrB2 به روش رخنه دهی و پاشش پلاسمایی بر روی گرافیت اعمال شد و رفتار رفتگی آن در شرایط شعله پروپان مورد بررسی قرار گرفت. پوشش میانی SiC با استفاده از روش رخنه دهی و در بستری از پودرهای Al2O3, C ,Si در دمای °C1600 و در اتمسفر گاز آرگون بر روی زیر لایه گرافیتی اعمال گردید. بررسی میکروسکوپی و فازی تشکیل پوشش تدریجی SiC با ضخامت تقریبی  μm600 همراه با شیب غلظتی عناصر Si  وC در ضخامت پوشش را تایید می نماید. لایه دوم ZrB2 ، به کمک فرآیند پاشش پلاسمایی تحت دوش محافظ گاز آرگون بر روی زیر لایه گرافیتی حاوی پوشش تدریجی SiC لایه نشانی شد. مشخصه های ساختاری پوشش ZrB2 با استفاده از SEM، مورد ارزیابی قرار گرفت. مطالعات انجام شده نشان داد که پیوندهای مکانیکی در فصل مشترک پوشش- زیرلایه به خوبی برقرار شده و هیچگونه ترک و ناپیوستگی در پوشش مشاهده نشد. نتایج آزمون رفتگی نشان داد که این پوشش مقاومت خوبی در برابر رفتگی ناشی از شعله پروپان دارد. نرخ رفتگی جرمی پوشش پس از آزمون رفتگی g/cm-2.s-1 3-10 × 3/1-  محاسبه شد.