طراحی تقویت کننده ترارسانایی چهار طبقه CMOS با مساحت تراشه پایین
تقویت کننده های عملیاتی، یکی از پرکاربردترین بلوک های پایه ای در سیستم های آنالوگ و مختلط هستند. در این مقاله، تقویت کننده عملیاتی ترارسانایی چهار طبقه با سطح اشغال تراشه پایین پیشنهاد شده است. در این ساختار، از یک بلوک تمام تفاضلی همزمان به عنوان طبقه چهارم و شبکه جبران سازی استفاده شده است. جبران سازی تقویت کننده ارایه شده تنها با یک MOSCAP صورت گرفته که ضمن کاهش سطح اشغال تراشه، به سبب کاهش تعداد و مقادیر خازن جبران ساز، پهنای باند بهره و ضرایب شایستگی بهبود یافته است. سادگی و استحکام طرح امکان پیاده سازی در یک تراشه با ابعاد m μ 210x250 را فراهم نموده است. تقویت کننده چهار طبقه پیشنهادی در تکنولوژی CMOS-mμ0.18 طراحی شده است. مزیت طرح، ارایه ساختاری است قابل پیاده سازی و مقاوم در برابر تغییرات پارامترهای مدار ناشی از پیاده سازی روی تراشه می باشد. بهره تقویت-کننده پیشنهادی 120dB و توان مصرفی 545µW و آهنگ چرخش V/µS 2.12، پهنای باند بهره 16.4MHz و حاشیه فاز 88 درجه می باشد.
- حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران میشود.
- پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانههای چاپی و دیجیتال را به کاربر نمیدهد.