بررسی افزایش ولتاژ توزیع شده بر روی دیسک‎های ترانسفورماتور قدرت ‏ با در نظر گرفتن القای متقابل و مدل‎های زمین متفاوت

تجهیزات برق در طول بهره برداری در معرض شوک‎های ولتاژی متعددی قرار می‎گیرند که عموما ناشی از برخورد صاعقه، سوییچینگ دستگاه های الکترونیکی یا ولتاژهای گذرا هستند که در سرتاسر سیستم قدرت وجود دارند. این پالس ها دارای محدوده فرکانسی از چندین کیلوهرتز تا چندین مگاهرتز هستند که در فواصل زمانی بسیار کوتاه در چند میکروثانیه به وجود می آیند. همچنین، تجهیزات پیک ولتاژ و جریان را نسبت به مقادیر نامی خود تجربه می کنند. این تغییر در مقادیر ولتاژ و جریان، در فواصل بسیار کوتاه، اثرات مخربی بر روی سیستم‎های عایق بندی تجهیزات و همچنین بر دقت اندازه‎گیری امپدانس زمین دارد. هدف اصلی این مطالعه بررسی اثر ضربه ولتاژ استاندارد و غیراستاندارد بر سیم‎پیچ ترانسفورماتور قدرت با در نظر گرفتن القای متقابل سیم‎پیچ‎های ترانسفورماتور می باشد. همچنین در این مقاله با اعمال پالس صاعقه بر روی سیم پیچ های ترانسفورماتور قدرت برای مدل های مختلف توزیع ولتاژ زمین روی دیسک های مختلف ترانسفورماتور (0.4/20 کیلوولت، 100 کیلوولت آمپر، 9 دیسک پیوسته سیم پیچ) و محاسبات ولتاژ دیسک ها به عنوان خروجی در محیط سیمولینک متلب نشان داده شده است. در مطالعات قبلی، محاسبات در حوزه زمان بود، در حالی که در این مطالعه، امپدانس زمین در حوزه فرکانس اندازه گیری شده است.