طراحی و شبیه سازی آنتن شیپوری ESIW صفحه H با بهره بالا و پهنای باند بهبود یافته

در این مقاله با استفاده از شکاف تشعشعی، الگوی تابشی آنتن شیپوری SIW صفحه H با کاهش پهنای پرتو نیم‌توان در صفحه E بهبود یافته است. این شکاف‌ها می‌توانند علاوه بر حفظ ابعاد ساختار، تاثیر بسزایی بر روی مشخصات آنتن داشته باشند. قرارگرفتن صفحه بازتابنده در فواصل مناسبی از دهانه و شکاف‌ها نیز منجر به بهبود سطح پرتوهای فرعی و تشعشع آنتن در جهت معکوس می‌شود. سپس برای بهبود تطبیق امپدانس و افزایش پهنای باند امپدانسی آنتن، دی‌الکتریک ساختار به طور کامل حذف گردیده و شکاف‌های غیر تشعشعی در صفحه‌های بالا و پایین به آنتن اضافه می‌شوند. حذف عایق باعث افزایش پهنای باند آنتن نسبت به پهنای باند آنتن معمولی شیپوری SIW شده و اضافه‌کردن شکاف‌های تشعشعی، بهره آنتن را نیز بهبود قابل ملاحظه‌ای می‌دهد. نتایج حاصل از شبیه‌سازی نشان می‌دهند که آنتن پیشنهادی این مقاله، محدوده فرکانسی GHz 2/27 تا GHz 3/28 را پوشش داده و بهره آن نیز در این بازه بین dBi 1/10 تا dBi 3/15 با بازده تشعشعی 98% تغییر می‌کند. در انتها به منظور افزایش بهره آنتن، یک آرایه دوبعدی از آنتن پیشنهادی در صفحه H با ساختار تغذیه مناسب طراحی شده است.