بررسی خواص الکترونیکی و مشخصه ی جریان بین لایه ای مواد دوبعدی نامتقارن MoSi2PmAsn و MoSi2AsmSbn

این مقاله‏ به بررسی خواص ساختاری و الکترونیکی مواد دو بعدی نامتقارن MoSi2PmAsn و MoSi2AsmSbn با استفاده از نظریه تابع چگالی می پردازد. در ابتدا، پایداری ساختارها توسط پراکندگی فونون اثبات شده است. در ادامه، ساختار نوارهای انرژی مواد به دست آمده است که نشان می دهد به جز ساختار MoSi2As3Sb، بقیه ساختارها ماهیت نیمه هادی دارند. همچنین چگالی حالت های مبتنی بر اوربیتال نشان می دهد که نوار هدایت و ظرفیت همه ساختارها عمدتا از اوربیتال d اتم مولیبدن تشکیل شده است. به منظور اثبات وجود یک میدان الکتریکی عمودی ذاتی در این مواد، توزیع پتانسیل، توزیع بار و توابع کار در دو صفحه اتمی بالا و پایین ساختارها محاسبه و مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. در ادامه برای تنظیم خواص الکتریکی ساختارها، کرنش دومحوره داخل صفحه ای اعمال شده است. شکاف انرژی مواد در کرنش کوچکی به مقدار ماکزیمم خود می رسد، سپس در کرنش های بزرگتر کاهش یافته و در کرنش فشاری و کششی مشخصی به صفر می رسد و گذار از نیمه هادی به فلز روی می دهد. در انتها، ترابرد بین لایه ای در این مواد مورد مطالعه قرار گرفته است و جریان بین صفحه ای به دست آمده است. نتایج به دست آمده نشان می دهد که ترابرد بین لایه ای و در نتیجه میزان جریان عمودی به پیکربندی ساختار وابسته می باشد و در ساختار X3Yبیشترین جریان به دست می آید. نتایج به دست آمده و عدم تقارن ناشی از میدان داخلی در مقادیر جریان مثبت و منفی اثبات می کند که این مواد گزینه های مناسبی برای استفاده در ادوات نانوالکترونیک و به ویژه یکسوسازها می باشند.