آینه جریان توان پایین مبتنی بر ماسفت با گیت شبه شناور

امروزه پیشرفت فناوری و کوچک شدن افزاره ها و تراشه ها در دستگاه های الکترونیکی به همراه تقاضا برای قابل حمل بودن آنها و کارکرد آنها برای مدت زمان بیشتر، چالش های بزرگی از جمله کاهش توان مصرفی و ولتاژ تغذیه پایین را پیش روی طراحان مدارات مجتمع آنالوگ قرار داده است. آینه جریان از اجزاء مهم طراحی مدارهای آنالوگ و از پرکاربردترین آنها است که در آن مصرف توان تحت تاثیر ولتاژ تغذیه است. بنابراین، توسعه ساختارهای آینه جریان با ولتاژ پایین و توان کم برای مطابقت با الزامات طراحی CMOS ضروری است. در این پژوهش یک آینه جریان توان کم ولتاژ پایین با استفاده از ساختار کسکود و تکنیک ماسفت با گیت شبه شناور طراحی شده است که برای بالا بردن مقاومت خروجی آن از تقویت کننده دو طبقه مبتنی بر تکنیک افزاینده بهره استفاده شده است. شبیه سازی ها با محیط شبیه سازی SPICE و فناوریCMOS  180 نانومترTSMC  صورت گرفته است. آینه جریان پیشنهادی با ولتاژ تغذیه 3/0± ولت کار می کند و مقاومت های ورودی و خروجی آن به ترتیب Ω 48 و MΩ 432 است و پهنای باند آن MHz 2/244 بدست آمده است. مزیت اصلی آینه جریان پیشنهادی نسبت به کارهای مشابه، توان مصرفی پایین آن به مقدار µw 03/14 می باشد.